抛光技术性及抛光液

　　一、抛光技术性

　　最开始的半导体材料衬底（衬底片）抛光延用机械设备抛光、比如氧化镁、氧化锆陶瓷抛光等，可是获得的芯片表面损害是以及比较严重的。直至六十年代末，一种新的抛光技术性——有机化学机械设备抛光技术性（CMPChemicalMechanicalPolishing）替代了旧的方式。CMP技术性综合性了有机化学和机械设备抛光的优点：

　　单纯性的有机化学抛光，抛光速度较快，表面光滑度高，损害低，完美性好，但表面平面度和平面度差，抛光后表面一致性差；

　　单纯性的机械设备抛光表面一致性好，表面平面度高，但表面光滑度差，损害层深。

　　有机化学机械设备抛光能够得到比较极致的表面，又可以获得较高的抛光速度，获得的平面度比别的方式高2个量级，是现阶段可以完成全局性平面化的唯一合理方式。根据机械加工制造基本原理、半导体器件水利学、物力资源有机化学多组分反映多相催化基础理论、表面水利学、半导体材料有机化学基础知识等，对硅单晶片有机化学机械设备抛光（CMP）原理、动力学模型操纵全过程和影响因素科学研究标出，有机化学机械设备抛光是一个繁杂的多组分反映，它存有着2个动力学模型全过程：

　　（1）抛光最先使吸咐在抛光布上的抛光液中的还原剂、金属催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面开展氧化还原反应的动力学模型全过程。它是化学变化的行为主体。

　　（2）抛光表面生成物摆脱硅单晶表面，即解析全过程使未反映的硅单晶再次外露出去的动力学模型全过程。它是操纵抛光速度的另一个关键全过程。单晶硅片的有机化学机械设备抛光全过程是以化学变化为主导的机械设备抛光全过程，要得到性价比高的抛光片，务必使抛光全过程中的化学腐蚀功效与机械设备切削功效做到一种均衡。假如化学腐蚀功效超过机械设备抛光功效，则抛光片表面造成浸蚀坑、橘皮状波浪纹。假如机械设备切削功效超过化学腐蚀功效，则表面造成高损害层。

　　二、蓝宝石研磨液

　　蓝宝石研磨液（又称之为蓝宝石抛光液）是用以在蓝宝石衬底的碾磨和减薄的研磨液。

　　蓝宝石研磨液由高品质聚晶金刚石微粉、复合型增稠剂和助悬剂构成。

　　蓝宝石研磨液运用聚晶金钢石的特点，在碾磨抛光全过程中维持高钻削高效率的另外不容易对产品工件造成刮伤。能够运用在蓝宝石衬底的碾磨和减薄、电子光学结晶、硬质的夹层玻璃和结晶、超硬瓷器和铝合金、磁带机、电脑硬盘、集成ic等行业的碾磨和抛光。

　　蓝宝石研磨液在蓝宝石衬底层面的运用：

　　1.外延片生产制造前衬底的双面研磨：要用蓝宝石研磨液碾磨一道或多道，依据最后蓝宝石衬底碾磨规定用6um、3um、1um不一。

　　2.LED芯片反面减薄

　　为处理蓝宝石的排热难题，必须将蓝宝石衬底的薄厚减薄，从450nm上下减为100nm上下。关键有二步：先在横着减薄机里，用50-70um的沙轮片碾磨磨掉300um上下的薄厚；再用抛光机（秀和、NTS、WEC等）对于不一样的碾磨盘（锡/铜盘），选用适合的蓝宝石研磨液（水/油溶性）对集成ic反面抛光，从150nm减为100nm[1]上下。

　　三、蓝宝石抛光液

　　蓝宝石抛光液是以高纯硅粉为原材料，经独特加工工艺生产制造的一种高纯低金属材料无机化合物抛光商品。

　　蓝宝石抛光液关键用以蓝宝石衬底的抛光。还可普遍用以多种多样原材料纳米的高平整化抛光，如：单晶硅片、化学物质结晶、高精密电子光学元器件、晶石等的抛光生产加工。

　　蓝宝石抛光液的特性：

　　1.高抛光速度，运用大粒度的胶体溶液二氧化硅颗粒做到髙速抛光的目地。

　　2.高纯（Cu成分低于50ppb），合理减少对电子器件产品的脏污。

　　3.高平整度生产加工，蓝宝石抛光液是运用SiO2的胶体溶液颗粒开展抛光，不容易对零件加工导致物理学损害，做到高平整化生产加工。

　　蓝宝石抛光液依据pH值的不一样可分成酸碱性抛光液和偏碱抛光液。